2021年10月01日(金) 旧暦 [n年日記] [更新:"2022/01/04 03:40:07"]
#1 [EB] LAB trial
左のような画面から、 resist module を実行して、 3D の表示を選ぶと、右のような画面が出る
(画面をクリックすると図を拡大します)
これは、以前に作った ZEP530A の感度曲線 (Constrast Curve) を使って simulation をしています。
ただ、これは base dose を 100 とした時のもので、かなり少なめになっている時のものです。
でも底まで抜けているように見えるので、不思議です。多分僕が何かを間違えている気がします。
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#2 手順
＠ 図:
左から
- Resist -> General
- 2D 表示 (上から見たところ)
- 3D 表示、 Wire Frame、色を変えてみたて
＠ 手順:
- GDSII を用意して、実行 host に転送しておく
- TRACER を使って simulation と Fit をした後に、
- Edit -> Store Store to Archive
- Export 3D Data .. ボタンを使うか
- 2D or 3D を選んでおいて -> Store ボタンを使う
- LAB を起動する
- Import を使って GDSII 形式を読む
- もし一部を取出しておいた方が(画面の)操作が速いなどがあるなら
Layout Operation の方の Extract を使って Layer/Structure 等を指定して、 扱う GDSII を小さくしておく
今回は、 structure の階層を良く覚えていなかったので、一つ下る毎に Extract を使って 6 x 6 um の四角の 範囲まで小さくしておいた - 今回は、 Contrast Curve (感度曲線) として DOSE とレジスト厚さの関係を調べてあったので、 それを使う。このためには Control -> Calibration Module を使って、 light intensisty というようなデータに変換しておく
- E-Beam 3D を選んで、つなぐ
- 上で、 GDSII を小さくしておいた、と書いたが、更に、その中で、 Layout TAB で一部を選ぶ(方が速い) .. 添付の一番目の図では R1 と名札のついている緑枠の部分
- Tool TAB で、
Base Dose 100 などと設定(上の最初の、右側の 3D の図は、その時のもの) - Simulation TAB で、
などを設定、細かくしすぎると、実行に大変時間がかかる。今回は 6 分くらいGrid X/Y[um] 0.002 Grid Z [um] 0.002 - Resist Module をつないで、 preference から、三番目の図のように、 General で Development Rate -> Edit Parameters で Light intensity model を Import する
- -＞| のような印を選んで実行、終了したら四角が二つ重なっている印を選ぶと、結果を表示する
(Double click すると、表示 -> 消去なので、消えてしまう。一回だけクリックする)
結果の表示形式にはいくつもあるが、右の図のようなアイコンから選べる
アイコンは、左から:
| Export the current visible view as png file or as raw data |
| Show 1d View |
| Show 2d View |
| Show 3d View |
| Show 1d and 2d horizontally arranged |
| Show 1d and 2d vertically arranged |
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2021年10月04日(月) 旧暦 [n年日記] [更新:"2021/10/04 10:14:43"]
#1 [SEM] ZEP530A exposure measurement
2021/09/13 に描画をした ZEP530A on 4 inch Si Wafer であるが、きょうも 10:00 - 12:40 くらいの間、観察した。 写真は次のところにある。文字の説明のうち直径については(まだ)正しくないと思う。
このうちの HoleSIPH の方の設定半径と、描画後の 開孔半径を libreoffice で図にして見たLine and Space の方もデータはあるが、まだまとめていない
- ぱっと見たところ、 DOSE によらないように見える
- 直径の 10 % くらい大きくなる、という気がする
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